液晶行業G3-G5基板用直立型近接曝光裝置DNK大日本科研

液晶行業G3-G5基板用直立型近接曝光裝置DNK大日本科研
玉崎中國總代理液晶行業G3-G5基板用直立型近接曝光裝置DNK大日本科研
深圳市京都玉崎電子有限公司中國總代理DNK大日本科研液晶行業G3-G5基板用直立型近接曝光裝置DNK大日本科研
中國海外擔當：周英小姐13717023088
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部微粒子發生及考慮到氣流的無塵對策。
主要特長：
1.直立配置掩膜臺/基板臺。不需補正由掩膜/掩膜臺/基板臺的自身重量而造成的彎曲變形,構造簡單，安定性高。
2.采用新型光學系統,使影響圖形轉印精度的傾斜角降低至過去的一半以下(與本公司裝置相比),可實現更高精度的圖形轉印。
3.完全分離本體與光源部。光源的熱量傳遞不到本體,改善了本體部的熱量分布水準。
4.為了防止因掩膜及玻璃基板的溫度差造成的伸縮變形,可選擇基板臺溫度控制系統及掩膜冷卻系統。(選購項)
5.最大基板尺寸為1,200mm×1,400mm。通過獨自的光學系統實現了均勻的一次性曝光。
6.能夠裝載存放5張掩膜的掩膜存放庫
MA-6701ML
MA-6801ML
MA-6131ML
G3-G5代液晶面板用直立型近接曝光機